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电子元器件详细资料 » IC[16261] » DDA114EU-7-F
型号:DDA114EU-7-F类别:晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式制造商:Diodes Inc
封装:6-TSSOP,SC-88,SOT-363描述:TRANS PREBIASED DUAL PNP SOT363

详细参数

类别晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
描述TRANS PREBIASED DUAL PNP SOT363
系列-
制造商Diodes Inc
晶体管类型2 个 PNP 预偏压式(双)
电流_集电极(Ic)111最大222100mA
电压_集电极发射极击穿111最大22250V
电阻器_基极(R1)111欧22210k
电阻器_发射极(R2)111欧22210k
在某IceeeVce时的最小直流电流增益(hFE)30 @ 5mA,5V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度111最大222300mV @ 500µA,10mA
电流_集电极截止111最大222500nA
频率_转换250MHz
功率_最大200mW
安装类型表面贴装
封装/外壳6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商设备封装SOT-363
包装带卷 (TR)

供应商

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深圳市华雄半导体(集团)有限公司王0512-67241533
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